FJN4301RTA
Modello di prodotti:
FJN4301RTA
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
28282 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FJN4301RTA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi:FJN4301RTACT
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:FJN4301
Email:[email protected]

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