VQ3001P-E3 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per VQ3001P-E3, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per VQ3001P-E3 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista VQ3001P-E3 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
VQ3001P-E3
- Modello di prodotti:
- VQ3001P-E3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47544 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- VQ3001P-E3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 1A, 12V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | - |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N and 2 P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 30V 850mA, 600mA 2W |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 850mA, 600mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VQ3001P-E3
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC