SIT8009BCT81-30N è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SIT8009BCT81-30N, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SIT8009BCT81-30N via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SIT8009BCT81-30N con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SIT8009BCT81-30N
- Modello di prodotti:
- SIT8009BCT81-30N
- fabbricante:
- SiTime
- Descrizione:
- OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V 20PPM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47377 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SIT8009BCT81-30N.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.3 V |
| Digitare: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum larghezza di banda: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Serie: | SiT8009B |
| Giudizi: | - |
| Tipo programmabile: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD, No Lead |
| Produzione: | HCMOS, LVCMOS |
| temperatura di esercizio: | -20°C ~ 70°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza: | 0.039" (1.00mm) |
| Funzione: | - |
| Stabilità di frequenza (Totale): | ±20ppm |
| stabilità di frequenza: | ±20ppm |
| Descrizione dettagliata: | XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.7 V ~ 3.3 V 4-SMD, No Lead |
| Corrente - Alimentazione (max): | 7.5mA |
| Corrente - Alimentazione (Disabilita) (max): | 4.2mA |
| Base Resonator: | MEMS |
| Disponibile Gamma di frequenza: | 115MHz ~ 137MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIT8009BCT81-30N
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8009BCT82-33E-121.400000Y | SiTime | OSC MEMS 121.4000MHZ LVCMOS SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V STBY | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V STBY | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V STBY | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V STBY | Inchiesta |
|
SIT8009BCT82-33E-121.500000T | SiTime | OSC MEMS 121.5000MHZ LVCMOS SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8009BCT82-33E-121.400000T | SiTime | OSC MEMS 121.4000MHZ LVCMOS SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V STBY | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8009BCT81-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V STBY | Inchiesta |
Latest Notizie
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo