Το SIT8009BCT81-30N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT8009BCT81-30N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT8009BCT81-30N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT8009BCT81-30N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT8009BCT81-30N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT8009BCT81-30N
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V 20PPM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47377 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SIT8009BCT81-30N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.7 V ~ 3.3 V |
| Τύπος: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Σειρά: | SiT8009B |
| Ακροαματικότητα: | - |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | HCMOS, LVCMOS |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -20°C ~ 70°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.039" (1.00mm) |
| Λειτουργία: | - |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | ±20ppm |
| Σταθερότητα συχνότητας: | ±20ppm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.7 V ~ 3.3 V 4-SMD, No Lead |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 7.5mA |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 4.2mA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 115MHz ~ 137MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT8009BCT81-30N
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8009BCT82-33E-121.400000Y | SiTime | OSC MEMS 121.4000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BCT82-33E-121.500000T | SiTime | OSC MEMS 121.5000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BCT82-33E-121.400000T | SiTime | OSC MEMS 121.4000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V STBY | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8009BCT81-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V STBY | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα