SI7964DP-T1-E3 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SI7964DP-T1-E3, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SI7964DP-T1-E3 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SI7964DP-T1-E3 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SI7964DP-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI7964DP-T1-E3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 31688 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SI7964DP-T1-E3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 23 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.4W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi: | SI7964DP-T1-E3TR SI7964DPT1E3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.1A |
| Numero di parte base: | SI7964 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI7964DP-T1-E3
Latest Notizie
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU