SI7964DP-T1-E3
SI7964DP-T1-E3
Αριθμός εξαρτήματος:
SI7964DP-T1-E3
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
31688 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SI7964DP-T1-E3.pdf

Εισαγωγή

Το SI7964DP-T1-E3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SI7964DP-T1-E3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SI7964DP-T1-E3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SI7964DP-T1-E3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:PowerPAK® SO-8 Dual
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 9.6A, 10V
Ισχύς - Max:1.4W
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:PowerPAK® SO-8 Dual
Αλλα ονόματα:SI7964DP-T1-E3TR
SI7964DPT1E3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:-
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:65nC @ 10V
FET Τύπος:2 N-Channel (Dual)
FET Χαρακτηριστικό:Standard
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):60V
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:6.1A
Αριθμός μέρους βάσης:SI7964
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις