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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > SG2803J-DESC
SG2803J-DESC
SG2803J-DESC
Modello di prodotti:
SG2803J-DESC
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55006 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SG2803J-DESC.pdf
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introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:8 NPN Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:18-CDIP
Serie:-
Potenza - Max:-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:-
Altri nomi:1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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Parti relative per SG2803J-DESC

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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SG2844DM Microsemi IC PWM CURRENT MODE 8SOIC Inchiesta
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SG2823J-883B Image SG2823J-883B Microsemi TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP Inchiesta

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