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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > SG2803J-DESC
SG2803J-DESC
SG2803J-DESC
Artikelnummer:
SG2803J-DESC
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
55006 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SG2803J-DESC.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor-Typ:8 NPN Darlington
Supplier Device-Gehäuse:18-CDIP
Serie:-
Leistung - max:-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:-
Andere Namen:1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:1000 @ 350mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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