RN2902FE,LF(CT
RN2902FE,LF(CT
Modello di prodotti:
RN2902FE,LF(CT
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
31091 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RN2902FE,LF(CT.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:ES6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:RN2902FE,LF(CB
RN2902FELF(CTTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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