RN2902FE,LF(CT
RN2902FE,LF(CT
Artikelnummer:
RN2902FE,LF(CT
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
31091 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
RN2902FE,LF(CT.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:ES6
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Andere Namen:RN2902FE,LF(CB
RN2902FELF(CTTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:200MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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