QS8M51TR
QS8M51TR
Modello di prodotti:
QS8M51TR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49636 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.QS8M51TR.pdf2.QS8M51TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:325 mOhm @ 2A, 10V
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:QS8M51CT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.7nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A, 1.5A
Numero di parte base:*M51
Email:[email protected]

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