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QS8K13TCR
- Modello di prodotti:
- QS8K13TCR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48334 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.QS8K13TCR.pdf2.QS8K13TCR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 550mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | QS8K13TCRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
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