QS6J11TR
QS6J11TR
Modello di prodotti:
QS6J11TR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29073 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.QS6J11TR.pdf2.QS6J11TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:105 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max:600mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A
Numero di parte base:*J11
Email:[email protected]

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