QS6J11TR
QS6J11TR
Modèle de produit:
QS6J11TR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
29073 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.QS6J11TR.pdf2.QS6J11TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Package composant fournisseur:TSMT6 (SC-95)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 2A, 4.5V
Puissance - Max:600mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2A
Numéro de pièce de base:*J11
Email:[email protected]

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