PSMN3R0-60ES,127
PSMN3R0-60ES,127
Modello di prodotti:
PSMN3R0-60ES,127
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35232 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
PSMN3R0-60ES,127.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):306W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:1727-5437
568-6906-5
568-6906-5-ND
934064562127
PSMN3R060ES127
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8079pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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