PSMN3R0-60ES,127 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PSMN3R0-60ES,127، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PSMN3R0-60ES,127 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PSMN3R0-60ES,127 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PSMN3R0-60ES,127
- رقم القطعة:
- PSMN3R0-60ES,127
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35232 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PSMN3R0-60ES,127.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 306W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | 1727-5437 568-6906-5 568-6906-5-ND 934064562127 PSMN3R060ES127 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8079pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPSMN3R0-60ES,127
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R9-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | تحقيق |
|
PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | تحقيق |
 |
PSMN2R8-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN3R4-30BLE,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V D2PAK | تحقيق |
 |
PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN3R3-80PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | تحقيق |
|
PSMN3R4-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | تحقيق |
|
PSMN3R3-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN3R2-25YLC,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN3R3-60PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 | تحقيق |
 |
PSMN3R3-80ES,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | تحقيق |
|
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN2R8-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V TO220AB | تحقيق |
|
PSMN3R2-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN2R8-25MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | تحقيق |
|
PSMN3R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN2R9-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN3R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل