PMDPB70EN,115 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per PMDPB70EN,115, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per PMDPB70EN,115 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista PMDPB70EN,115 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
PMDPB70EN,115
- Modello di prodotti:
- PMDPB70EN,115
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 32153 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PMDPB70EN,115.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-HUSON-EP (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 57 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 510mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 568-10761-2 934066486115 PMDPB70EN,115-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 130pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMDPB70EN,115
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico