NTTFS4824NTAG
NTTFS4824NTAG
Modello di prodotti:
NTTFS4824NTAG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
52238 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTTFS4824NTAG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):660mW (Ta), 46.3W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:NTTFS4824NTAG-ND
NTTFS4824NTAGOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2363pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 11.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 8.3A (Ta), 69A (Tc) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta), 69A (Tc)
Email:[email protected]

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