NTTFS4824NTAG
NTTFS4824NTAG
Número de pieza:
NTTFS4824NTAG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
52238 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTTFS4824NTAG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):660mW (Ta), 46.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:NTTFS4824NTAG-ND
NTTFS4824NTAGOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2363pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 11.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 8.3A (Ta), 69A (Tc) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta), 69A (Tc)
Email:[email protected]

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