NSVMUN2212T1G
NSVMUN2212T1G
Modello di prodotti:
NSVMUN2212T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
26380 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NSVMUN2212T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SC-59-3
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Potenza - Max:230mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:NSVMUN2212T1GOSCT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:MUN2212
Email:[email protected]

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