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NSVMUN2212T1G
- Artikelnummer:
- NSVMUN2212T1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 26380 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NSVMUN2212T1G.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-59-3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 22 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 22 kOhms |
| Leistung - max: | 230mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | NSVMUN2212T1GOSCT |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | MUN2212 |
| Email: | [email protected] |
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