NSBC123EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
Modello di prodotti:
NSBC123EPDXV6T1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
34513 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NSBC123EPDXV6T1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-563
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:NSBC123EPDXV6T1OS
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:8 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:NSBC1*
Email:[email protected]

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