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NSBC115EDXV6T1G
- Modello di prodotti:
- NSBC115EDXV6T1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 53267 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NSBC115EDXV6T1G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 100 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 100 kOhms |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | NSBC115EDXV6T1G-ND NSBC115EDXV6T1GOSTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Numero di parte base: | NSBC1* |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NSBC115EDXV6T1G
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