NDF08N60ZG
NDF08N60ZG
Modello di prodotti:
NDF08N60ZG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34463 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NDF08N60ZG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:950 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:NDF08N60ZG-ND
NDF08N60ZGOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 8.4A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.4A (Tc)
Email:[email protected]

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