NDF06N62ZG
NDF06N62ZG
Modello di prodotti:
NDF06N62ZG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34687 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NDF06N62ZG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.2 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):31W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:NDF06N62ZG-ND
NDF06N62ZGOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:923pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):620V
Descrizione dettagliata:N-Channel 620V 6A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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