MRF5812R2
Modello di prodotti:
MRF5812R2
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Quantità di magazzino:
50180 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MRF5812R2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):200mA
Tensione - Ripartizione:8-SO
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:18V
Serie:-
Stato RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistenza - Base (R1) (ohm):5GHz
Potenza - Max:1.25W
Polarizzazione:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:MRF5812R2
Guadagno:2dB @ 500MHz
Frequenza - transizione:50 @ 50mA, 5V
Tipo FET:15.5dB
Descrizione espansione:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Descrizione:RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Corrente - collettore (Ic) (max):NPN
Email:[email protected]

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