MMUN2233LT1
MMUN2233LT1
Modello di prodotti:
MMUN2233LT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
36553 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MMUN2233LT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:246mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:MMUN2233LT1OSCT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:MMUN22**L
Email:[email protected]

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