MMUN2233LT1
MMUN2233LT1
Artikelnummer:
MMUN2233LT1
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
36553 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
MMUN2233LT1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):4.7 kOhms
Leistung - max:246mW
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:MMUN2233LT1OSCT
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:MMUN22**L
Email:[email protected]

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