MJD45H11T4G
MJD45H11T4G
Modello di prodotti:
MJD45H11T4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
56199 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MJD45H11T4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Potenza - Max:1.75W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:MJD45H11T4GOS
MJD45H11T4GOS-ND
MJD45H11T4GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:90MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 4A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA
Corrente - collettore (Ic) (max):8A
Numero di parte base:MJD45H11
Email:[email protected]

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