Az MJD45H11T4G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az MJD45H11T4G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetMJD45H11T4Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon MJD45H11T4G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
MJD45H11T4G
- Cikkszám:
- MJD45H11T4G
- Leírás:
- TRANS PNP 80V 8A DPAK
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 56199 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- MJD45H11T4G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 80V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 1V @ 400mA, 8A |
| Tranzisztor típusú: | PNP |
| Szállító eszközcsomag: | DPAK |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 1.75W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | MJD45H11T4GOS MJD45H11T4GOS-ND MJD45H11T4GOSTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 4 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 90MHz |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 4A, 1V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 8A |
| Alap rész száma: | MJD45H11 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MJD45H11T4G-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos