JANTX1N5807US è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per JANTX1N5807US, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per JANTX1N5807US via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista JANTX1N5807US con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
JANTX1N5807US
- Modello di prodotti:
- JANTX1N5807US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 22852 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JANTX1N5807US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 875mV @ 4A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 50V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | B, SQ-MELF |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, B |
| Altri nomi: | 1086-2482 1086-2482-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5µA @ 50V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 3A |
| Capacità a Vr, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JANTX1N5807US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JANTX1N5806 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTX1N5812 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | Inchiesta |
|
JANTX1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5814R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Inchiesta |
|
JANTX1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Inchiesta |
 |
JANTX1N5804US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | Inchiesta |
|
JANTX1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Inchiesta |
|
JANTX1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JANTX1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTX1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | Inchiesta |
|
JANTX1N5806URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTX1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5804 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTX1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | Inchiesta |
|
JANTX1N5802US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | Inchiesta |
|
JANTX1N5802URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A APKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5804URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A APKG | Inchiesta |
 |
JANTX1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico