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JANTX1N5806US
- Modello di prodotti:
- JANTX1N5806US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 39677 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JANTX1N5806US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 875mV @ 1A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 150V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-5A |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 25ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, A |
| Altri nomi: | 1086-2480 1086-2480-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 150V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1A |
| Capacità a Vr, F: | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JANTX1N5806US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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JANTX1N5806 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL | Inchiesta |
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JANTX1N5804URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A APKG | Inchiesta |
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JANTX1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | Inchiesta |
 |
JANTX1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | Inchiesta |
|
JANTX1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | Inchiesta |
 |
JANTX1N5802US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | Inchiesta |
 |
JANTX1N5712-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35 | Inchiesta |
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JANTX1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5804 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTX1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Inchiesta |
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JANTX1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Inchiesta |
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JANTX1N5802 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JANTX1N5712UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO213AA | Inchiesta |
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JANTX1N5812 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | Inchiesta |
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JANTX1N5806URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Inchiesta |
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JANTX1N5802URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A APKG | Inchiesta |
|
JANTX1N5804US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | Inchiesta |
 |
JANTX1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | Inchiesta |
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