Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH120N25T
IXFH120N25T
IXFH120N25T
Modello di prodotti:
IXFH120N25T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
39647 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFH120N25T.pdf
Inchiesta

introduzione

IXFH120N25T è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IXFH120N25T, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IXFH120N25T via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IXFH120N25T con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (max) a Id, Vgs:23 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):890W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione dettagliata:N-Channel 250V 120A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFH120N25T

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IXFH110N15T2 Image IXFH110N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 Inchiesta
IXFH11N80 Image IXFH11N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD Inchiesta
IXFH120N30X3 Image IXFH120N30X3 IXYS Corporation 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Inchiesta
IXFH10N100Q Image IXFH10N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD Inchiesta
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD Inchiesta
IXFH12N80P Image IXFH12N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Inchiesta
IXFH10N100P Image IXFH10N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Inchiesta
IXFH10N90 Image IXFH10N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD Inchiesta
IXFH110N10P Image IXFH110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 Inchiesta
IXFH12N100P Image IXFH12N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Inchiesta
IXFH12N120 Image IXFH12N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Inchiesta
IXFH10N80P Image IXFH10N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 Inchiesta
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Inchiesta
IXFH120N15P Image IXFH120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-247 Inchiesta
IXFH120N25X3 Image IXFH120N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO247 Inchiesta
IXFH120N20P Image IXFH120N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A TO-247 Inchiesta
IXFH110N25T Image IXFH110N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 Inchiesta
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Inchiesta
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 Inchiesta
IXFH12N100F Image IXFH12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Inchiesta

Latest Notizie