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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH120N20P
IXFH120N20P
IXFH120N20P
Modello di prodotti:
IXFH120N20P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
58102 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFH120N20P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:22 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):714W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 120A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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