ISC1812BN271J è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ISC1812BN271J, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ISC1812BN271J via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ISC1812BN271J con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ISC1812BN271J
- Modello di prodotti:
- ISC1812BN271J
- fabbricante:
- Dale / Vishay
- Descrizione:
- FIXED IND 270UH 101MA 6.9 OHM
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 57396 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ISC1812BN271J.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±5% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1812 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | ISC-1812 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | 40 @ 796kHz |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 1812 (4532 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Ferrite |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 796kHz |
| Induttanza: | 270µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.134" (3.40mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 4MHz |
| Descrizione dettagliata: | 270µH Shielded Wirewound Inductor 101mA 6.9 Ohm Max 1812 (4532 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 6.9 Ohm Max |
| Valutazione attuale: | 101mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ISC1812BN271J
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1812BN1R5J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 418MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN331J | Dale / Vishay | FIXED IND 330UH 96MA 7.54 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN390J | Dale / Vishay | FIXED IND 39UH 192MA 1.89 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN221K | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 105MA 6.3 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN2R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 378MA 490 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R8J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 403MA 430 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN270J | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 212MA 1.56 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN331K | Dale / Vishay | FIXED IND 330UH 96MA 7.54 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN270K | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 212MA 1.56 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R5K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 418MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN220J | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 227MA 1.36 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 403MA 430 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN2R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 378MA 490 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN221J | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 105MA 6.3 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN271K | Dale / Vishay | FIXED IND 270UH 101MA 6.9 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN2R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 390MA 460 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN220K | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 227MA 1.36 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN2R2J | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 390MA 460 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN330K | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 202MA 1.72 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN330J | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 202MA 1.72 OHM | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi