ISC1812BN1R5K è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ISC1812BN1R5K, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ISC1812BN1R5K via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ISC1812BN1R5K con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ISC1812BN1R5K
- Modello di prodotti:
- ISC1812BN1R5K
- fabbricante:
- Dale / Vishay
- Descrizione:
- FIXED IND 1.5UH 418MA 400 MOHM
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 23019 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ISC1812BN1R5K.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±10% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1812 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | ISC-1812 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | 30 @ 7.96MHz |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 1812 (4532 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Iron Powder |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 7.96MHz |
| Induttanza: | 1.5µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.134" (3.40mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 100MHz |
| Descrizione dettagliata: | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 418mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 400 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 418mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ISC1812BN1R5K
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1812BN220K | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 227MA 1.36 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R5J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 418MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN180J | Dale / Vishay | FIXED IND 18UH 238MA 1.24 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN181J | Dale / Vishay | FIXED IND 180UH 111MA 5.72 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2UH 429MA 380 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN180K | Dale / Vishay | FIXED IND 18UH 238MA 1.24 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN270K | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 212MA 1.56 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 403MA 430 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN270J | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 212MA 1.56 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R0K | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 447MA 350 MOHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1812BN181K | Dale / Vishay | FIXED IND 180UH 111MA 5.72 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN271K | Dale / Vishay | FIXED IND 270UH 101MA 6.9 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN151K | Dale / Vishay | FIXED IND 150UH 130MA 4.16 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN221J | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 105MA 6.3 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R8J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 403MA 430 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R2J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2UH 429MA 380 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN220J | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 227MA 1.36 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN1R0J | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 447MA 350 MOHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1812BN221K | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 105MA 6.3 OHM | Inchiesta |
|
ISC1812BN271J | Dale / Vishay | FIXED IND 270UH 101MA 6.9 OHM | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi