IS43R86400E-5BL
IS43R86400E-5BL
Modello di prodotti:
IS43R86400E-5BL
fabbricante:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
22631 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IS43R86400E-5BL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:2.3 V ~ 2.7 V
Tecnologia:SDRAM - DDR
Contenitore dispositivo fornitore:60-TFBGA (13x8)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:60-TFBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
Frequenza dell'orologio:200MHz
Tempo di accesso:700ps
Email:[email protected]

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