IS43R86400E-5BL je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IS43R86400E-5BL, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IS43R86400E-5BL e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IS43R86400E-5BL s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IS43R86400E-5BL
- Part Number:
- IS43R86400E-5BL
- Popis:
- IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 22631 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IS43R86400E-5BL.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 15ns |
| Napětí - Supply: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Technika: | SDRAM - DDR |
| Dodavatel zařízení Package: | 60-TFBGA (13x8) |
| Série: | - |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 60-TFBGA |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Volatile |
| Velikost paměti: | 512Mb (64M x 8) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | DRAM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (13x8) |
| Frekvence hodin: | 200MHz |
| přístupová doba: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IS43R86400E-5BL
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný