HEF4082BT-Q100J è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per HEF4082BT-Q100J, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per HEF4082BT-Q100J via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista HEF4082BT-Q100J con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
HEF4082BT-Q100J
- Modello di prodotti:
- HEF4082BT-Q100J
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- IC GATE AND 2CH 4-INP 14SO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57828 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- HEF4082BT-Q100J.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 15 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 14-SO |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100, 4000B |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Numero di ingressi: | 4 |
| Numero di circuiti: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Ritardo di propagazione @ V, Max CL: | 45ns @ 15V, 50pF |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Tipo Logic: | AND Gate |
| Livello logico - Basso: | 1.5 V ~ 4 V |
| Livello logico - Alto: | 3.5 V ~ 11 V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caratteristiche: | - |
| Descrizione dettagliata: | AND Gate IC 2 Channel 14-SO |
| Corrente - Di riposo (max): | 30µA |
| Corrente - uscita alta, bassa: | 3.4mA, 3.4mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HEF4082BT-Q100J
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico