Az HEF4082BT-Q100J most elérhető!Az LYNTEAM technológia az HEF4082BT-Q100J állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetHEF4082BT-Q100Je-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon HEF4082BT-Q100J LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
HEF4082BT-Q100J
- Cikkszám:
- HEF4082BT-Q100J
- Gyártó:
- Nexperia
- Leírás:
- IC GATE AND 2CH 4-INP 14SO
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 57828 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- HEF4082BT-Q100J.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 3 V ~ 15 V |
| Szállító eszközcsomag: | 14-SO |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q100, 4000B |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Bemenetek száma: | 4 |
| Az áramkörök száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Propagation Delay @ V, Max CL: | 45ns @ 15V, 50pF |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 13 Weeks |
| Logikai típus: | AND Gate |
| Logikai szint - alacsony: | 1.5 V ~ 4 V |
| Logikai szint - magas: | 3.5 V ~ 11 V |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | AND Gate IC 2 Channel 14-SO |
| Aktuális - Leszúrás (Max): | 30µA |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | 3.4mA, 3.4mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az HEF4082BT-Q100J-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos