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GB10SLT12-252
- Modello di prodotti:
- GB10SLT12-252
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 39613 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- GB10SLT12-252.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 2V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 1242-1140 GB10SLT12252 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Surface Mount TO-252 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 250µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 10A |
| Capacità a Vr, F: | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Numero di parte base: | GB10SLT12 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GB10SLT12-252
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