FW811-TL-E
Modello di prodotti:
FW811-TL-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
33148 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FW811-TL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 8A, 10V
Potenza - Max:2.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):35V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 8A 2.2W Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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