DTD123TKT146
DTD123TKT146
Modello di prodotti:
DTD123TKT146
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
27322 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.DTD123TKT146.pdf2.DTD123TKT146.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SMT3
Serie:-
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DTD123TKT146-ND
DTD123TKT146TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Numero di parte base:DTD123
Email:[email protected]

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