DTD123TKT146
DTD123TKT146
Artikelnummer:
DTD123TKT146
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
27322 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.DTD123TKT146.pdf2.DTD123TKT146.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SMT3
Serie:-
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:DTD123TKT146-ND
DTD123TKT146TR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:200MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Basisteilenummer:DTD123
Email:[email protected]

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