CSD16322Q5
Modello di prodotti:
CSD16322Q5
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49880 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
CSD16322Q5.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 8V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-25112-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1365pF @ 12.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 21A (Ta), 97A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 97A (Tc)
Email:[email protected]

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