CSD16321Q5C
Modello di prodotti:
CSD16321Q5C
fabbricante:
TI
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49993 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
CSD16321Q5C.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.4 mOhm @ 25A, 8V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-25643-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 12.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 31A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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