BYT12P-1000 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BYT12P-1000, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BYT12P-1000 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BYT12P-1000 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BYT12P-1000
- Modello di prodotti:
- BYT12P-1000
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 36326 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BYT12P-1000.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.9V @ 12A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1000V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AC |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 155ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-2 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 1000V 12A Through Hole TO-220AC |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 50µA @ 1000V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 12A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BYT12P-1000
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato