BT258X-800R,127 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BT258X-800R,127, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BT258X-800R,127 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BT258X-800R,127 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BT258X-800R,127
- Modello di prodotti:
- BT258X-800R,127
- fabbricante:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Descrizione:
- THYRISTOR 800V 8A SOT186A
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38689 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BT258X-800R,127.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Stato On (Vtm) (max): | 1.6V |
| Tensione - Stato off: | 800V |
| Tensione - Trigger porta (VGT) (max): | 1.5V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | - |
| Tipo SCR: | Sensitive Gate |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Altri nomi: | 934042990127 BT258X-800R BT258X-800R-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SCR 800V 8A Sensitive Gate Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Stato On (It (RMS)) (max): | 8A |
| Corrente - Stato On (It (AV)) (max): | 5A |
| Corrente - Stato off (max): | 500µA |
| Corrente -. Non Rep sovratensioni 50, 60 Hz (ITSM): | 75A, 82A |
| Corrente - Mantenimento (Ih) (max): | 6mA |
| Corrente - Trigger porta (Igt) (max): | 200µA |
| Numero di parte base: | BT258 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BT258X-800R,127
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico