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BQ4014YMB-120
- Modello di prodotti:
- BQ4014YMB-120
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 31186 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BQ4014YMB-120.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 120ns |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 2Mb (256K x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | NVSRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x52.96) |
| Numero di parte base: | BQ4014 |
| Tempo di accesso: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
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