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BQ4014YMB-120
- Artikelnummer:
- BQ4014YMB-120
- Hersteller:
- TI
- Beschreibung:
- IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 31186 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- BQ4014YMB-120.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 120ns |
| Spannungsversorgung: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologie: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 2Mb (256K x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | NVSRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x52.96) |
| Basisteilenummer: | BQ4014 |
| Zugriffszeit: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
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